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台积电正式启动2nm芯片工艺研发

来源: 转载自北京安邦信息 发布日期: 2019/06/17 0

台积电率先量产7nm+工艺之后,现在又有新动作。台积电官方日前宣布,正式启动2nm工艺的研发,工厂设置在位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。按照台积电给出的指标,2nm工艺是一个重要节点,Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x,同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm,Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm。也就是说,2nm制程相比于3nm要小了23%。台积电厂务处处长庄子寿表示:“台积电在台湾的第一家3nm工厂将于2021年投产,并将于2022年实现大规模生产。与此同时,为了对抗SAMSUNG的竞争,台积电正在推进2nm制程的研发和生产计划。”而就在几天前,台积电在台湾新竹的3nm研发厂房顺利通过环评,预计可顺利赶上量产时程。台积电也透露预计把五年后的2nm厂研发及量产都放在新竹,选址部分原因是为避免人才流失,目前台积电在新竹有约7000名半导体制程研发人才。台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料,看晶体管结构示意图和目前并没有明显变化,能在硅半导体工艺上继续压榨到如此地步真是堪称奇迹,接下来就看能不能做到1nm了。当然,在那之前,台积电还要接连经历7nm、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。其中,7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术,目前已经投入量产;6nm只是7nm的一个升级版,明年第一季度试产;5nm全面导入极紫外光刻,已经开始风险性试产,明年底之前量产,苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳);3nm有望在2021年试产、2022年量产。

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